布地奈德鼻喷剂说明书:内存识别

 
内存条上写的数字表示大小很固定，32M,64M,128,156M,512,1024M等，其它的还有像

PC100,PC133,DDR266,DDR400,DDR533等表示频率。

右击我的电脑选择属性，在常规选项的右下角就可以看到内存大小！

内存条一般都有标注大小，如果没有就要看颗粒的编号了，给个你看看：
samsung内存
例：samsungk4h280838b-tcb0
第1位——芯片功能k，代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4，代表dram。
第3位——芯片的更进一步的类型说明，s代表sdram、h代表ddr、g代表sgram。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。

64、62、63、65、66、67、6a代表64mbit的容量；28、27、2a代表128mbit的容量；56、55、

57、5a代表256mbit的容量；51代表512mbit的容量。
第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表

64位数据。
第11位——连线“-”。
第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7b为7.5ns(cl=3)；7c为7.5ns(cl=2)；80

为8ns；10为10ns(66mhz)。
知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一

条三星ddr内存，使用18片samsungk4h280838b-tcb0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表

该颗粒是128mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存

条的容量是128mbits（兆数位）×16片/8bits=256mb（兆字节）。
注：“bit”为“数位”，“b”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容

量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ecc内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可

以组成一条内存；另一种ecc内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ecc校验码。通过校验

码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计

算校验位，具有ecc功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片

或者9片内存颗粒贴片的内存条是ecc内存。

hynix(hyundai)现代
现代内存的含义：
hy5dv641622at-36
hyxxxxxxxxxxxxxxxx
123456789101112
1、hy代表是现代的产品
2、内存芯片类型：(57=sdram，5d=ddrsdram)；
3、工作电压：空白=5v，v=3.3v,u=2.5v
4、芯片容量和刷新速率：16=16mbits、4kref；64=64mbits、8kref；65=64mbits、4kref；

128=128mbits、8kref；129=128mbits、4kref；256=256mbits、16kref；257=256mbits、

8kref
5、代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位
6、bank数量：1、2、3分别代表2个、4个和8个bank，是2的幂次关系
7、i/o界面：1:sstl_3、 2:sstl_2
8、芯片内核版本：可以为空白或a、b、c、d等字母，越往后代表内核越新
9、代表功耗：l=低功耗芯片，空白=普通芯片
10、内存芯片封装形式：jc=400milsoj，tc=400miltsop-ⅱ，td=13mmtsop-ⅱ，tg=16mmtsop-

ⅱ
11、工作速度：55:183mhz、5:200mhz、45:222mhz、43:233mhz、4:250mhz、33:300nhz、

l:ddr200、h:ddr266b、 k:ddr266a
现代的mbga封装的颗粒

infineon（英飞凌）
infineon是德国西门子的一个分公司，目前国内市场上西门子的子公司infineon生产的内存颗

粒只有两种容量：容量为128mbits的颗粒和容量为256mbits的颗粒。编号中详细列出了其内存

的容量、数据宽度。infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个bank组成。所以其

内存颗粒型号比较少，辨别也是最容易的。
hyb39s128400即128mb/4bits，“128”标识的是该颗粒的容量，后三位标识的是该内存数据宽

度。其它也是如此，如：hyb39s128800即128mb/8bits；hyb39s128160即128mb/16bits；

hyb39s256800即256mb/8bits。
infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线，然后标上工作速率。
-7.5——表示该内存的工作频率是133mhz；
-8——表示该内存的工作频率是100mhz。
例如：
1条kingston的内存条，采用16片infineon的hyb39s128400-7.5的内存颗粒生产。其容量计算

为：128mbits（兆数位）×16片/8=256mb（兆字节）。
1条ramaxel的内存条，采用8片infineon的hyb39s128800-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为

：128mbits（兆数位）×8片/8=128mb（兆字节）。

kingmax、kti
kingmax内存的说明
kingmax内存都是采用tinybga封装（tinyballgridarray）。并且该封装模式是专利产品，所

以我们看到采用kingmax颗粒制作的内存条全是该厂自己生产。kingmax内存颗粒有两种容量：

64mbits和128mbits。在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。
容量备注：
ksva44t4a0a——64mbits，16m地址空间×4位数据宽度；
ksv884t4a0a——64mbits，8m地址空间×8位数据宽度；
ksv244t4xxx——128mbits，32m地址空间×4位数据宽度；
ksv684t4xxx——128mbits，16m地址空间×8位数据宽度；
ksv864t4xxx——128mbits，8m地址空间×16位数据宽度。
kingmax内存的工作速率有四种状态，是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率：
-7a——pc133/cl=2；
-7——pc133/cl=3；
-8a——pc100/cl=2；
-8——pc100/cl=3。
例如一条kingmax内存条，采用16片ksv884t4a0a-7a的内存颗粒制造，其容量计算为：64mbits

（兆数位）×16片/8=128mb（兆字节）。

micron（美光）
以mt48lc16m8a2tg-75这个编号来说明美光内存的编码规则。
含义：
mt——micron的厂商名称。
48——内存的类型。48代表sdram；46代表ddr。
lc——供电电压。lc代表3v；c代表5v；v代表2.5v。
16m8——内存颗粒容量为128mbits，计算方法是：16m（地址）×8位数据宽度。
a2——内存内核版本号。
tg——封装方式，tg即tsop封装。
-75——内存工作速率，-75即133mhz；-65即150mhz。
实例：一条micronddr内存条，采用18片编号为mt46v32m4-75的颗粒制造。该内存支持ecc功能

。所以每个bank是奇数片内存颗粒。
其容量计算为：容量32m×4bit×16片/8=256mb（兆字节）。
winbond（华邦）
含义说明：
wxxxxxxxx
12345
1、w代表内存颗粒是由winbond生产
2、代表显存类型：98为sdram，94为ddrram
3、代表颗粒的版本号：常见的版本号为b和h；
4、代表封装，h为tsop封装，b为bga封装，d为lqfp封装
5、工作频率:0：10ns、100mhz；8：8ns、125mhz；z：7.5ns、133mhz；y：6.7ns、150mhz；6

：6ns、166mhz；5：5ns、200mhz

mosel（台湾茂矽）

台湾茂矽科技是台湾一家较大的内存芯片厂商，对大陆供货不多，因此我们熟悉度不够。这颗

粒编号为v54c365164vdt45，从编号的6、7为65表示单颗粒为64/8＝8mb，从编号的8、9位16可

知单颗粒位宽16bit，从编号的最后3位t45可知颗粒速度为4.5ns

nanya（南亚）、elixir、pqi、pluss、atl、eudar

南亚科技是全球第六大内存芯片厂商，也是去年台湾内存芯片商中唯一盈利的公司，它在全球

排名第五位。这颗显存编号为nt5sv8m16ct-7k，其中第4位字母“s”表示是sdram显存，6、7

位8m表示单颗粒容量8m，8、9位16表示单颗粒位宽16bit，-7k表示速度为7ns。

v-data（香港威刚）、a-data（台湾威刚）、vt
内存颗粒编号为vdd8608a8a-6b h0327，是6纳秒的颗粒，单面8片颗粒共256m容量，0327代表

它的生产日期为2003年第27周

费者通过查看颗粒编号的含义，以识别自己购买内存是否为正品的文章，已经很早就有人开始

写了。但随着现代新品颗粒的推出，以及对颗粒编号的调整，早期那些文章已经不能再担任帮

助消费者识别真伪的重任。而当今市场，不论是原厂还是兼容，使用现代HY内存颗粒的产品仍

然十分常见，再加上消费者因新编号定义不明，而受骗上当的例子仍然存在，因此，我们将对

现代颗粒的最新编号定义，对现代SDRAM/DDR SDRAM/DDR2 SDRAM三种主流内存颗粒的编号一一

进行说明。
一、DDR SDRAM：
　　现在正值DDR SDRAM内存销售的鼎盛时期，颗粒制造厂稍有个风吹草动，都会影响到整个

零售市场的内存价格。现代的DDR SDRAM内存颗粒作为当今零售市场内存产品的主流选件，更

是决定着整个内存市场走势的关键。虽然，它并不是利润最高的产品，但由于是主流规格的原

因，仍然是内存经销商“走量”的首选产品。
　　我们以新近上市的现代DDR 500内存的颗粒编号为例。这种最新上市的DDR 500原厂现代内

存，采用了编号为HY5DU56822CT-D5的内存颗粒。从这组编号，我们可以了解到如下一些信息

：这是一款DDR SDRAM内存，容量256MB，使用了8颗粒结构，并占用2个bank数，封装方式则采

用了TSOP II结构。
　　究竟这些含义是如何被分辨出来的呢？下面我们就对现代DDR SDRAM内存的颗粒编号进行

一些说明。
HYNIX DDR SDRAM颗粒编号：
 
　　整个DDR SDRAM颗粒的编号，一共是由14组数字或字母组成，他们分别代表内存的一个重

要参数，了解了他们，就等于了解了现代内存。
颗粒编号解释如下：
　　1、HY是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。
        2、内存芯片类型：（5D=DDR SDRAM）
　　3、处理工艺及供电：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：

VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V）
　　4、芯片容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；

56：　　256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新）
　　5、内存条芯片结构：（4＝4颗芯片；8＝8颗芯片；16＝16颗芯片；32＝32颗芯片）
　　6、内存bank（储蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank）
　　7、接口类型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18）
　　8、内核代号：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代）
　　9、能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型）
　　10、封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm））
　　11、封装堆栈：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝MCP

（UTC））
　　12、封装原料：（空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素）
　　13、速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR400 3-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2-2-2；K

＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200）
　　14、工作温度：（I=工业常温（-40 - 85度）；E=扩展温度（-25 - 85度））
　　由上面14条注解，我们不难发现，其实最终我们只需要记住2、3、6、13等几处数字的实

际含义，就能轻松实现对使用现代DDR SDRAM内存颗粒的产品进行辨别。尤其是第13位数字，

它将明确的告诉消费者，这款内存实际的最高工作状态是多少。假如，消费者买到一款这里显

示为L的产品（也就是说，它只支持DDR 200的工作频率），那么就算内存条上贴的标签或者包

装盒上吹的再好，它也只是一款低档产品。