橡胶硫化的原理:什么是AM1.5? 太阳能标准测试条件AM1.5、1000W/m2、25℃解释

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什么是AM1.5? 太阳能标准测试条件AM1.5、1000W/m2、25℃解释2010-05-06 16:50

1、标准测试条件AM1.5、1000W/m225℃解释?http://hi.baidu.com/photovoltaic

AM1.5、1000W/m225℃是IEC61646--地面用薄膜型光伏组件设计和定型(GB/T18911-2002)的测试标准。也是GB/T11011-1989--非晶硅太阳电池电性能测试的一般规定的测试标准。

AM的意思是air-mass(大气质量), 定义是:Path-length through the atmosphere relative to vertical thickness of the atmosphere,就是光线通过大气的实际距离比上大气的垂直厚度。AM1.5就是光线通过大气的实际距离为大气垂直厚度的1.5倍。http://hi.baidu.com/photovoltaic

1000W/m2是标准测试太阳电池的光线的辐照度。

25ºC就是在25ºC的温度下工作。太阳电池效率会随温度升高有一定下降,它在使用时温度会升高,再由温度系数就可以得出他工作时的电压电流和输出功率。

2、为什么会有光致衰减(S-W效应)? http://www.a-sipv.com

光致衰减也称S-W效应。a-Si∶H薄膜经较长时间的强光照射或电流通过,在其内部将产生缺陷而使薄膜的性能下降,称为Staebler-Wronski效应(D.L.Staebler和C.R.Wronski最早发现的)。

  对S-W效应的起因,至今仍有不少争议,造成衰退的微观机制也尚无定论,成为迄今国内外非晶硅材料研究的热门课题。总的看法认为,S-W效应起因于光照导致在带隙中产生了新的悬挂键缺陷态(深能级),这种缺陷态会影响a-Si∶H薄膜材料的费米能级Ef的位置,从而使电子的分布情况发生变化,进而一方面引起光学性能的变化,另一方面对电子的复合过程产生影响。这些缺陷态成为电子和空穴的额外复合中心,使得电子的俘获截面增大、寿命下降。http://hi.baidu.com/photovoltaic

  在a-Si∶H薄膜材料中,能够稳定存在的是Si-H键和与晶体硅类似的Si-Si键,这些键的键能较大,不容易被打断。由于a-Si∶H材料结构上的无序,使得一些Si-Si键的键长和键角发生变化而使Si-Si键处于应变状态。高应变Si-Si键的化学势与H相当,可以被外界能量打断,形成Si-H键或重新组成更强的Si-Si键。如果断裂的应变Si-Si键没有重构,则a-Si∶H薄膜的悬挂键密度增加。为了更好地理解S-W效应产生的机理并控制a-Si∶H薄膜中的悬挂键,以期寻找稳定化处理方法和工艺,20多年来,国内外科学工作者进行了不懈的努力,提出了大量的物理模型,主要有弱键断裂(SJT)模型、“H玻璃”模型、H碰撞模型、Si-H-Si桥键形成模型、“defect pool”模型等,但至今仍没有形成统一的观点。

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3、晶体硅太阳电池使用寿命、衰减趋势、衰减率?http://www.a-sipv.com

常规晶体硅太阳电池使用寿命一般承诺20或25年(一般组件出厂有质保书,保证什么时候衰减到多少),晶体硅太阳电池片由于晶体生长过程中引入杂质,对电池片的初期光照会导致其中的掺杂剂和氧、铁等杂质形成复合中心,从而使硅片的少子寿命降低,引起电池转换效率下降,发生较大幅度的光致衰减。另外还与封装材料的退化有关。http://hi.baidu.com/photovoltaic

衰减趋势应该和非晶硅类似,初期衰减大,以后衰减慢。