暴食君主:霍尔开关集成传感器内部结构框电路图
来源:百度文库 编辑:中财网 时间:2024/05/19 23:23:15
霍尔开关集成传感器是以硅为材料,利用硅平面工艺制造的。对于硅材料来讲,制作霍尔元件是不理想的,但在霍尔开关集成传感器上,由于N型硅的外延层材料很薄,可以提高霍尔电压忻。如果应用硅平面工艺技术将差分放大器、施密特触发器及霍尔元件集成在一起,可以大大提高传感器的灵敏度。
图是霍尔开关集成传感器的内部结构框图。它主要由稳压电路、霍尔元件、放大器、整形电路以及开路输出五部分组成。稳压电路可使传感器在较宽的电源电压范围内工作,开路输出可使传感器方便与各种逻辑电路接口。
霍尔开关集成传感器的工作原理及过程可简述如下:当有磁场作用在传感器上时,根据霍尔效应原理、霍尔元件输出霍尔电压VH,该电压经放大器放大后,送至施密特整形电路。当放大后的VH电压大于"开启"竭值时,施密特整形电路翻转,输出高电平,使半导体管VT导通,且具有吸收电流的负载能力,这种状态称为开状态。当磁场减弱时,霍尔元件输出的巾电压很小,经放大器放大后其值也不于施密特整形电路的 "关闭"阀值,施密特整形器再次翻转,输出低电平,便半导体管VT截止,这种状态称为关状态。这样,一次磁场强度的变化,就便传感器完成了一次开关动作。
图是霍尔开关集成传感器的内部结构框图。它主要由稳压电路、霍尔元件、放大器、整形电路以及开路输出五部分组成。稳压电路可使传感器在较宽的电源电压范围内工作,开路输出可使传感器方便与各种逻辑电路接口。
霍尔开关集成传感器的工作原理及过程可简述如下:当有磁场作用在传感器上时,根据霍尔效应原理、霍尔元件输出霍尔电压VH,该电压经放大器放大后,送至施密特整形电路。当放大后的VH电压大于"开启"竭值时,施密特整形电路翻转,输出高电平,使半导体管VT导通,且具有吸收电流的负载能力,这种状态称为开状态。当磁场减弱时,霍尔元件输出的巾电压很小,经放大器放大后其值也不于施密特整形电路的 "关闭"阀值,施密特整形器再次翻转,输出低电平,便半导体管VT截止,这种状态称为关状态。这样,一次磁场强度的变化,就便传感器完成了一次开关动作。
图:霍尔开关集成传感器内部结构框图
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