快穿 甜文大脑洞:Diodes封装规格，来自一家制造商

开关二极管
罗姆可按客户要求提供大量的开关可靠的二极管。尤其是UMD2封装的规格具有优越的耐电流性能。
另外，也备有各种封的二极管阵列(2个以上)产品。1SS400可用于EMD2，规格为1608。
系列产品
种类 应用 VRM
(V) 封装
1006规格 1208规格 1608规格 1612规格 2012规格 2916规格 3415规格 2.7 ? f 1.8

VMD2 VMD3 EMD2
(SOD-523) EMD3
(SOT-416) EMD6 UMD2
(SOD-323) UMD3
(SOT-323) UMD4
(SOT-343) UMD5
(SOT-353) UMD6
(SOT-363) SMD3
(SOT-346) SMD5
(SC-74A) SMD6
(SOT-457) LLDS
(LL-34) MSD
(DO-34)
开关二极管
高速
20
NEW
DA221M
DA221
DA204U      DA204K
80~90
1SS400G
NEW
DAN222M
NEW
DAP222M
1SS400
DAN222
DAP222
NEW
EMN11
NEW
EMP11
1SS355DAN202U
DAP202U
DAN217U
DA228UDA227UMN1N
UMP1NUMN11N
UMP11N
UMR12NDAN202K
DAP202K
DAN217
DA228KFMN1
FMP1IMN10
IMN11
IMP11RLS-731SS133
低泄漏 40
1SS380
高压
250
RLS2451SS244
一览表
表面安装式
应用 型号 绝对最大额定值
(Ta=25oC)*1 电气特性
(Ta=25oC)*1 封装 等效电路图
VRM
(V) VR
(V) IFM
(mA) IO
(mA) Isurge
(mA) VF(V)Max. IR(μA)Max. trr(ns)Max.
型号 带的代号
IF
(mA)
VR
(V)
VR
(V) IF
(mA)
高速 1SS400G T2R 90 80 225 100 500(1s)
1.2 100 0.1 80 4 6 10VMD2
1SS400 TE61 90 80 225 100 500(1s)
1.2 100 0.1 80 4 6 10EMD2
1SS355 TE-17 90 80 225 100 500(1s)
1.2 100 0.1 80 4 6 10UMD2
RLS-73 TE-11 90 80 400 130 600(1s) 1.2 100 0.5 80 4 6 10LLDS
NEW
DAN222M T2L 80 80 300 100 4000(1μs) 1.2 100 0.1 70 4 6 5 VMD3
DAN222 TL 80 80 300 100 4000(1μs) 1.2 100 0.1 70 4 6 5EMD3
DAN202U T106 80 80 300 100 4000(1μs) 1.2 100 0.1 70 4 6 5UMD3
DAN202K T146 80 80 300 100 4000(1μs) 1.2 100 0.1 70 4 6 5SMD3
NEW
DAP222M T2L 80 80 300 100 4000(1μs) 1.2 100 0.1 70 4 6 5 VMD3
DAP222 TL 80 80 300 100 4000(1μs) 1.2 100 0.1 70 4 6 5EMD3
DAP202U T106 80 80 300 100 4000(1μs) 1.2 100 0.1 70 4 6 5UMD3
DAP202K T146 80 80 300 100 4000(1μs) 1.2 100 0.1 70 4 6 5SMD3
NEW
DA221M T2L 20 20 200 100 300(1μs) 1.0 10 0.1 15 - - - VMD3
DA221 TL 20 20 200 100 300(1μs) 1.0 10 0.1 15 - - -EMD3
DA204U T106 20 20 200 100 300(1μs) 1.0 10 0.1 15 - - -UMD3
DAN217U T106 80 80 300 100 4000(1μs) 1.2 100 0.2 70 4 6 5UMD3
DA228U T106 80 80 200 100 300(1μs) 1.2 100 0.1 80 - - -UMD3
DAN217 T146 80 80 300 100 4000(1μs) 1.2 100 0.1 70 4 6 5SMD3
DA228K T146 80 80 200 100 300(1μs) 1.2 100 1.0 80 - - -SMD3
DA204K T146 20 20 200 100 300(1μs) 1.0 10 0.1 15 - - -SMD3
UMN1N TR 80 80 80 25 250(1μs) 0.9 5 0.1 70 4 6 5UMD5
FMN1 T148 80 80 80 25 250(1μs) 0.9 5 0.1 70 4 6 5SMD5
UMP1N TR 80 80 80 25 250(1μs) 0.9 5 0.1 70 4 6 5UMD5
FMP1 T148 80 80 80 25 250(1μs) 0.9 5 0.1 70 4 6 5SMD5
NEW
EMN11 T2R 80 80 300 100 4000(1μs) 0.9 100 0.1 70 4 6 5 EMD6
UMN11N TN 80 80 300 100 4000(1μs) 0.9 100 0.1 70 4 6 5UMD6
IMN11 T110 80 80 300 100 4000(1μs) 0.9 100 0.1 70 4 6 5SMD6
NEW
EMP11 T2R 80 80 300 100 4000(1μs) 0.9 100 0.1 70 4 6 5 EMD6
UMP11N TN 80 80 300 100 4000(1μs) 1.2 100 0.1 70 4 6 5UMD6
IMP11 T110 80 80 300 100 4000(1μs) 1.2 100 0.1 70 4 6 5SMD6
UMR12N TN 80 80 200 100 300(1μs) 1.2 100 0.1 80 - - -UMD6
DA227 TL 80 80 300 100 4000(1μs) 1.2 100 0.1 70 4 6 5UMD4
IMN10 T108 80 80 300 100 4000(1μs) 1.2 100 0.1 70 4 6 5SMD6
低泄漏1SS380 TE-17 40 35 225 100 400(1s) 1.2 100 0.01 20 - - -UMD2
高压RLS245 TE-11 250 220 625 200 1000(1s) 1.5 200 10 220 75 20 20LLDS
注: *1 值/元件
管脚式
应用 型号 绝对最大额定值(Ta=25oC) 电气特性(Ta=25oC) 封装 等效电路图
VRM
(V) VR
(V) IFM
(mA) IO
(mA) Isurge
(mA) VF(V)Max. IR(μA)Max. trr(ns)Max.
型号 带的代号
IF
(mA)
VR
(V)
VR
(V) IF
(mA)
高速1SS133 T-77 90 80 400 130 600(1s) 1.2 100 0.5 80 4 6 10MSD
高压1SS244 T-77 250 220 625 200 1000(1s) 1.5 200 10 220 75 20 20MSD
注: 封装规格包括T-72.