读心神探20集全 下载:内存知识详解

2、主频

　　内存主频和 CPU 主频一样，习惯上被用来表示内存的速度，它代表着该内存所能达到的最高工作频率。内存主频是以 MHz（兆赫）为单位来计量的。内存主频越高，在一定程度上代表着内存所能达到的速度越快。内存主频决定着该内存最高能在什么样的频率正常工作。

　　目前，市面上已推出的内存产品中，最高能达到 560MHz 的主频，而较为主流的是 333MHz 和 400MHz 的 DDR 内存。

　　大家知道，计算机系统的时钟速度是以频率来衡量的。晶体振荡器控制着时钟速度，在石英晶片上加上电压，其就以正弦波的形式震动起来，这一震动可以通过晶片的形变和大小记录下来。晶体的震动以正弦调和变化的电流形式表现出来，这一变化的电流就是时钟信号。而内存本身并不具备晶体振荡器，因此，内存工作时的时钟信号，是由主板芯片组的北桥或直接由主板的时钟发生器提供的。也就是说，内存无法决定自身的工作频率，其实际工作频率是由主板来决定的。

　　一般情况下，内存的工作频率是和主板的外频相一致的。通过主板调节 CPU 的外频，也就调整了内存的实际工作频率。

　　内存工作时，有两种工作模式：

　　一种是同步工作模式。此模式下，内存的实际工作频率与 CPU 外频一致，这是大部分主板所采用的默认内存工作模式。

　　另外一种是异步工作模式。这样，允许内存的工作频率与 CPU 外频可存在一定差异。它可以让内存工作在高出或低于系统总线速度 33MHz，又或者让内存和外频以 3:4、4:5 等特定比例的频率上。利用异步工作模式技术，就可以避免以往超频而导致的内存瓶颈问题。

　　举个例子：一块 845E 的主板，最大只能支持 DDR266 内存，其主频是 266MHz，这是 DDR 内存的等效频率，其实际工作频率是 133MHz。在正常情况下（不进行超频），该主板上内存工作频率最高可以设置到 DDR266 的模式。但如果主板支持内存异步功能，那么就可以采用内存、外频频率以 5:4 的比例模式下工作。这样，内存的工作频率就可以达到 166MHz，此时主板就可以支持 DDR333（等效频率 333MHz，实际频率 166MHz）了。

　　目前的主板芯片组，几乎都支持内存异步。英特尔公司从 810 系列，到目前较新的 875 系列都支持，而威盛公司则从 693 芯片组以后，全部都提供了此功能。

3、传输类型

　　传输类型，是指内存所采用的内存类型。不同类型的内存，传输类型各有差异，在传输率、工作频率、工作方式、工作电压等方面，都有不同。目前，市场中主要有的内存类型有 SDRAM、DDR SDRAM 和 RDRAM 三种。其中，DDR SDRAM 内存占据了市场的主流，而 SDRAM 内存规格已不再发展，处于被淘汰的行列。RDRAM 则始终未成为市场的主流，只有部分芯片组支持，而这些芯片组也逐渐退出了市场，RDRAM 前景并不被看好。

　　1) SDRAM

　　SDRAM，即 Synchronous DRAM（同步动态随机存储器），曾经是 PC 电脑上最为广泛应用的一种内存类型，即便在今天，SDRAM 仍旧还在市场占有一席之地。既然是“同步动态随机存储器”，那就代表着它的工作速度是与系统总线速度同步的。

　　SDRAM 内存又分为 PC66、PC100、PC133 等不同规格，而规格后面的数字，就代表着该内存最大所能正常工作的系统总线速度，如 PC100，那就说明此内存可以在系统总线为 100MHz 的电脑中同步工作。

　　与系统总线速度同步，也就是与系统时钟同步，这样就避免了不必要的等待周期，减少数据存储时间。同步还使存储控制器知道在哪一个时钟脉冲期由数据请求使用，因此数据可在脉冲上升期便开始传输。SDRAM 采用 3.3 伏工作电压，168Pin 的 DIMM 接口，带宽为 64 位。SDRAM 不仅应用在内存上，在显存上也较为常见。

　　2) DDR

　　严格的说，DDR 应该叫 DDR SDRAM，人们习惯称为 DDR。部分初学者也常看到 DDR SDRAM，就认为是 SDRAM。DDR SDRAM 是 Double Data Rate SDRAM 的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。

　　DDR 内存是在 SDRAM 内存的基础上发展而来的，仍然沿用 SDRAM 生产体系。因此，对于内存厂商而言，只需对制造普通 SDRAM 的设备稍加改进，即可实现 DDR 内存的生产，可有效的降低成本。

　　SDRAM 在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输；而 DDR 内存则是一个时钟周期内传输两次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据。因此，称为双倍速率同步动态随机存储器。DDR 内存可以在与 SDRAM 相同的总线频率下，达到更高的数据传输率。

　　与 SDRAM 相比，DDR 运用了更先进的同步电路，使指定地址、数据输送和输出的主要步骤，既独立执行，又保持与 CPU 完全同步。DDR 使用了 DLL(Delay Locked Loop，延时锁定回路提供一个数据滤波信号)技术，当数据有效时，存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据，每 16 次输出一次，并重新同步来自不同存储器模块的数据。DDR 本质上不需要提高时钟频率，就能加倍提高 SDRAM 的速度，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据，因而其速度是标准 SDRA 的两倍。

　　从外形体积上看，DDR 与 SDRAM 相比差别并不大。他们具有同样的尺寸和同样的针脚距离。但 DDR 为 184 针脚，比 SDRAM 多出了 16 个针脚，主要包含了新的控制、时钟、电源和接地等信号。DDR 内存采用的是支持 2.5V 电压的 SSTL2 标准，而不是 SDRAM 使用的 3.3V 电压的 LVTTL 标准。

　　3) RDRAM

　　RDRAM（Rambus DRAM）是美国的 RAMBUS 公司开发的一种内存。与 DDR 和 SDRAM 不同，它采用了串行的数据传输模式。在推出时，因为其彻底改变了内存的传输模式，无法保证与原有的制造工艺相兼容，而且内存厂商要生产 RDRAM，还必须要加纳一定专利费用，再加上其本身制造成本，就导致了 RDRAM 从一问世就高昂的价格，让普通用户无法接收。而同时期的 DDR 则能以较低的价格，不错的性能，逐渐成为主流，虽然 RDRAM 曾受到英特尔公司的大力支持，但始终没有成为主流。

　　RDRAM 的数据存储位宽是 16 位，远低于 DDR 和 SDRAM 的 64 位。但在频率方面，则远远高于二者，可以达到 400MHz 乃至更高。同样也是在一个时钟周期内传输两次次数据，能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，内存带宽能达到 1.6Gbyte/s。

　　普通的 DRAM 行缓冲器的信息，在写回存储器后便不再保留，而 RDRAM 则具有继续保持这一信息的特性，于是在进行存储器访问时，如行缓冲器中已经有目标数据，则可利用，因而实现了高速访问。另外，其可把数据集中起来，以分组的形式传送。所以，只要最初用 24 个时钟，以后便可每 1 时钟读出 1 个字节。一次访问所能读出的数据长度，可以达到 256 字节。

　　4) DDR2

　　DDR2（Double Data Rate 2）SDRAM，是由 JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代 DDR 内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但 DDR2 内存却拥有两倍于上一代 DDR 内存预读取能力（即：4bit 数据读预取）。换句话说，DDR2 内存每个时钟能够以 4 倍于外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线 4 倍的速度运行。

　　此外，由于 DDR2 标准规定所有 DDR2 内存均采用 FBGA 封装形式，而不同于目前广泛应用的 TSOP/TSOP-II 封装形式，FBGA 封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为 DDR2 内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起 DDR 的发展历程，从第一代应用到个人电脑的 DDR200，经过 DDR266、DDR333 到今天的双通道 DDR400 技术，第一代 DDR 的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工作速度。随着 Intel 最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率的 DDR2 内存将是大势所趋。

   

                                图4

　　DDR2 与 DDR 的区别：在了解 DDR2 内存诸多新技术前，先让我们看一组 DDR 和 DDR2 技术对比的数据。

   
                                  图5

　　1、延迟问题：

　　从上表可以看出，在同等核心频率下，DDR2 的实际工作频率是 DDR 的两倍。这得益于 DDR2 内存拥有两倍于标准 DDR 内存的 4BIT 预读取能力。换句话说，虽然 DDR2 和 DDR 一样，都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但 DDR2 拥有两倍于 DDR 的预读取系统命令数据的能力。也就是说，在同样 100MHz 的工作频率下，DDR 的实际频率为 200MHz，而 DDR2 则可以达到 400MHz。

　　这样，也就出现了另一个问题：在同等工作频率的 DDR 和 DDR2 内存中，后者的内存延时要慢于前者。举例来说，DDR 200 和 DDR2-400 具有相同的延迟，而后者具有高一倍的带宽。实际上，DDR2-400 和 DDR 400 具有相同的带宽，它们都是 3.2GB/s，但是 DDR-400 的核心工作频率是 200MHz，而 DDR2-400 的核心工作频率是 100MHz，也就是说 DDR2-400 的延迟要高于 DDR-400。

　　2、封装和发热量：

　　DDR2 内存技术最大的突破点，其实不在于用户们所认为的两倍于 DDR 的传输能力，而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下，DDR2 可以获得更快的频率提升，突破标准 DDR 的 400MHZ 限制。

　　DDR 内存通常采用 TSOP 芯片封装形式，这种封装形式可以很好的工作在 200MHz 上。当频率更高时，它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这会影响它的稳定性和频率提升的难度。这也就是 DDR 的核心频率很难突破 275MHZ 的原因。而 DDR2 内存均采用 FBGA 封装形式。不同于目前广泛应用的 TSOP 封装形式，FBGA 封装提供了更好的电气性能与散热性，为 DDR2 内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。

　　DDR2 内存采用 1.8V 电压，相对于 DDR 标准的 2.5V，降低了不少，从而提供了明显的更小功耗与更小发热量，这一点的变化是意义重大的。

　　3、DDR2 采用的新技术：

　　除了以上所说的区别外，DDR2 还引入了三项新的技术，它们是 OCD、ODT 和 Post CAS。

　　1) OCD（Off-Chip Driver）：也就是所谓的离线驱动调整。DDR II 通过 OCD 可以提高信号的完整性。DDR II 通过调整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的电阻值，使两者电压相等。使用 OCD 通过减少 DQ-DQS 的倾斜，来提高信号的完整性；通过控制电压来提高信号品质。

　　2) ODT：ODT 是内建核心的终结电阻器。我们知道使用 DDR SDRAM 的主板上面，为了防止数据线终端反射信号，需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小，决定了数据线的信号比和反射率。终结电阻小，则数据线信号反射低，但信噪比也较低；终结电阻高，则数据线的信噪比高，但信号反射也会增加。因此，主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质。DDR2 可以根据自已的特点，内建合适的终结电阻。这样，可以保证最佳的信号波形。使用 DDR2 不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质，这是 DDR 不能比拟的。

　　3) Post CAS：它是为了提高 DDR II 内存的利用效率而设定的。在 Post CAS 操作中，CAS 信号（读写/命令）能够被插到 RAS 信号后面的一个时钟周期，CAS 命令可以在附加延迟（Additive Latency）后面保持有效。原来的 tRCD（RAS 到 CAS 和延迟）被 AL（Additive Latency）所取代，AL 可以在 0，1，2，3，4 中进行设置。由于 CAS 信号放在了 RAS 信号后面一个时钟周期，因此，ACT 和 CAS 信号永远也不会产生碰撞冲突。

　　总的来说，DDR2 采用了诸多的新技术，改善了 DDR 的诸多不足，虽然它目前有成本高、延迟慢等诸多不足，但相信随着技术的不断提高和完善，这些问题终将得到解决。

4、接口类型

　　接口类型，是根据内存条金手指上导电触片的数量来划分的。金手指上的导电触片，也习惯称为针脚数（Pin）。因为不同的内存采用的接口类型各不相同，而每种接口类型所采用的针脚数各不相同。笔记本内存一般采用 144Pin、200Pin 接口；台式机内存则基本使用 168Pin 和 184Pin 接口。对应于内存所采用的不同针脚数，内存插槽类型也各不相同。目前，台式机系统主要有 SIMM、DIMM 和 RIMM 三种类型的内存插槽，而笔记本内存插槽则是在 SIMM 和 DIMM 插槽基础上发展而来，基本原理并没有变化，只是在针脚数上略有改变。

　　1、金手指

　　金手指（connecting finger）是内存条上与内存插槽之间的连接部件，所有的信号都是通过金手指进行传送的。金手指由众多金黄色的导电触片组成，因其表面镀金而且导电触片排列如手指状，所以称为“金手指”。金手指实际上是在覆铜板上通过特殊工艺再覆上一层金，因为金的抗氧化性极强，而且传导性也很强。不过，因为金昂贵的价格，目前较多的内存都采用镀锡来代替。从上个世纪 90 年代开始，锡材料就开始普及，目前主板、内存和显卡等设备的“金手指”，几乎都是采用的锡材料，只有部分高性能服务器/工作站的配件接触点，才会继续采用镀金的做法，价格自然不菲。

   
                      图6 内存金手指

　　内存处理单元的所有数据流、电子流，正是通过金手指与内存插槽的接触与 PC 系统进行交换，是内存的输出输入端口。因此，其制作工艺，对于内存连接显得相当重要。

　　2、内存插槽

　　最初的计算机系统，通过单独的芯片安装内存，那时内存芯片都采用 DIP（Dual ln-line Package，双列直插式封装）封装，DIP 芯片是通过安装在插在总线插槽里的内存卡与系统连接，此时还没有正式的内存插槽。DIP 芯片有个最大的问题，就在于安装起来很麻烦，而且随着时间的增加，由于系统温度的反复变化，它会逐渐从插槽里偏移出来。随着每日频繁的计算机启动和关闭，芯片不断被加热和冷却，慢慢地芯片会偏离出插槽。最终导致接触不好，产生内存错误。

　　早期还有另外一种方法，是把内存芯片直接焊接在主板或扩展卡里，这样有效避免了 DIP 芯片偏离的问题，但无法再对内存容量进行扩展，而且如果一个芯片发生损坏，整个系统都将不能使用，只能重新焊接一个芯片或更换包含坏芯片的主板。此种方法付出的代价较大，也极为不便。

　　对于内存存储器，大多数现代的系统，都已采用单列直插内存模块（Single Inline Memory Module，SIMM）或双列直插内存模块（Dual Inline Memory Module，DIMM）来替代单个内存芯片。这些小板卡插入到主板或内存卡上的特殊连接器里。

　　3、内存模块

　　1) SIMM

　　SIMM（Single Inline Memory Module，单列直插内存模块）。内存条通过金手指与主板连接，内存条正反两面都带有金手指。金手指可以在两面提供不同的信号，也可以提供相同的信号。SIMM 就是一种两侧金手指都提供相同信号的内存结构，它多用于早期的 FPM 和 EDD DRAM，最初一次只能传输 8bif 数据，后来逐渐发展出 16bit、32bit 的 SIMM 模组。其中，8bit 和 16bit SIMM 使用 30pin 接口，32bit 的则使用 72pin 接口。在内存发展进入 SDRAM 时代后，SIMM 逐渐被 DIMM 技术取代。

  

  
                           图7

　　2) DIMM

　　DIMM（Dual Inline Memory Module，双列直插内存模块）。与 SIMM 相当类似，不同的只是 DIMM 的金手指两端，不像 SIMM 那样是互通的，它们各自独立传输信号。因此，可以满足更多数据信号的传送需要。同样采用 DIMM，SDRAM 的接口与 DDR 内存的接口也略有不同，SDRAM DIMM 为 168Pin DIMM 结构，金手指每面为 84Pin，金手指上有两个卡口，用来避免插入插槽时，错误将内存反向插入而导致烧毁；DDR DIMM 则采用 184Pin DIMM 结构，金手指每面有 92Pin，金手指上只有一个卡口。卡口数量的不同，是二者最为明显的区别。DDR2 DIMM 为 240pin DIMM 结构，金手指每面有 120Pin，与 DDR DIMM 一样金手指一样，也只有一个卡口，但是卡口的位置与 DDR DIMM 稍微有一些不同。因此，DDR 内存是插不进 DDR2 DIMM 的，同理 DDR2 内存也是插不进 DDR DIMM 的。因此，在一些同时具有 DDR DIMM 和 DDR2 DIMM 的主板上，不会出现将内存插错插槽的问题。

                     图12 RDRAM 内存

   
                     图13 TSOP 封装内存

　　TSOP 封装方式中，内存芯片是通过芯片引脚焊接在 PCB 板上的，焊点和 PCB 板的接触面积较小，使得芯片向 PCB 传热就相对困难。而且 TSOP 封装方式的内存，在超过 150MHz 后，会产生较大的信号干扰和电磁干扰。

　　3) BGA 封装

　　20 世纪 90 年代随着技术的进步，芯片集成度不断提高，I/O 引脚数急剧增加，功耗也随之增大，对集成电路封装的要求也更加严格。为了满足发展的需要，BGA 封装开始被应用于生产。BGA 是英文 Ball Grid Array Package 的缩写，即球栅阵列封装。

　　采用 BGA 技术封装的内存，可以使内存在体积不变的情况下，内存容量提高两到三倍，BGA 与 TSOP 相比，具有更小的体积，更好的散热性能和电性能。BGA 封装技术，使每平方英寸的存储量有了很大提升，采用 BGA 封装技术的内存产品，在相同容量下，体积只有 TSOP 封装的三分之一。另外，与传统 TSOP 封装方式相比，BGA 封装方式有更加快速和有效的散热途径。

     
                       图14 BGA 封装内存

　　BGA 封装的 I/O 端子，以圆形或柱状焊点按阵列形式分布在封装下面，BGA 技术的优点是，I/O 引脚数虽然增加了，但引脚间距并没有减小反而增加了，从而提高了组装成品率；虽然它的功耗增加，但 BGA 能用可控塌陷芯片法焊接，从而可以改善它的电热性能；厚度和重量都较以前的封装技术有所减少；寄生参数减小，信号传输延迟小，使用频率大大提高；组装可用共面焊接，可靠性高。

　　说到 BGA 封装，就不能不提 Kingmax 公司的专利 TinyBGA 技术。TinyBGA 英文全称为 Tiny Ball Grid Array（小型球栅阵列封装），属于是 BGA 封装技术的一个分支。是 Kingmax 公司于 1998 年 8 月开发成功的。其芯片面积与封装面积之比，不小于 1:1.14，可以使内存在体积不变的情况下，内存容量提高 2～3 倍，与 TSOP 封装产品相比，其具有更小的体积、更好的散热性能和电性能。
 

8、传输标准

　　内存是计算机内部最为关键的部件之一，其有很严格的制造要求。而其中的传输标准，则代表着对内存速度方面的标准。不同类型的内存，无论是 SDRAM、DDR SDRAM，还是 RDRAM 都有不同的规格，每种规格的内存，在速度上是各不相同的。传输标准是内存的规范，只有完全符合该规范，才能说该内存采用了此传输标准。比如说传输标准 PC3200 内存，代表着此内存为工作频率 200MHz，等效频率为 400MHz 的 DDR 内存，也就是常说的 DDR-400。

　　传输标准是购买内存的首要选择条件之一，它代表着该内存的速度。目前市场中所有的内存传输标准，有 SDRAM 的 PC100、PC133；还有 DDR SDRAM 的 PC1600、PC2100、PC2700、PC3200、PC3500、PC3700；以及 RDRAM 的 PC600、PC800 和 PC1066 等。

　　1、SDRAM 传输标准

　　1) PC100

　　PC100 是由 JEDEC 和英特尔共同制订的一个 SDRAM 内存条的标准，符合该标准的内存都称为 PC100，其中的 100 代表该内存工作频率可达 100MHz。JEDEC （Joint Electron Device Engineering Council），电子元件工业联合会。JEDEC 是由生产厂商们制定的国际性协议，主要为计算机内存制定。工业标准的内存，通常指的是符合 JEDEC 标准的一组内存。大多数人认为的 PC100 内存，就是该内存能正常工作在前端总线（FSB）100MHz 的系统中。其实 PC100 是一组很严格的规范，它包含有：内存时钟周期，在 100MHZ 外频工作时值为 10ns；存取时间小于 6ns；PCB 必须为六层板；内存上必须有 SPD 等多方面的规定。

　　PC100 中，还详细的规定了内存条上电路的各部分线长最大值与最小值；电路线宽与间距的精确规格；保证 6 层 PCB 板制作（分别为：信号层、电源层、信号层、基层、信号层），具备完整的电源层与地线层；具备每层电路板间距离的详细规格；精确符合发送、载入、终止等请求的时间；详细的 EEPROM 编程规格；详细的 SDRAM 组成规格；特殊的标记要求；电磁干扰抑制；可选镀金印刷电路板等等。由此可见，传输标准是一套相当复杂的内存标准，但具体的内存规范定义，我们没有必要去详细了解，只要了解内存符合这个规范，那么它的数据传输能到达多大，它所能提供的性能怎么样那就足够了。

　　从性能的角度来说，PC100 的内存在主板设置在 100MHZ 外频，且在主板的 BIOS 选项中 CL 设置为 2，此内存可以稳定的工作。

　　2) PC133

　　PC133 是威盛公司联合了三星、现代、日立、西门子、Micron 和 NEC 等数家著名 IT 厂商联合推出的内存标准，其中的 133 指的是该内存工作频率可达 133MHz。PC133 SDRAM 的数据传输速率，可以达到 1.06GB/s。

　　严格地说，PC133 和 PC100 内存在制造工艺上没有什么太大的不同，区别只是在制造 PC133 内存时多了一道“筛选”工序，把内存颗粒中外频超过 133 MHz 的挑选出来，焊接成高档一些的内存。

　　2、DDR 传输标准

　　PC1600 如果按照传统习惯传输标准的命名，PC1600（DDR200）应该是 PC200。在当时 DDR 内存正在与 RDRAM 内存进行下一代内存标准之争，此时的 RDRAM 按照频率命名，应该叫 PC600 和 PC800。这样，对于不是很了解的人来说，自然会认为 PC200 远远落后于 PC600，而 JEDEC 基于市场竞争的考虑，将 DDR 内存的命名规范进行了调整。传统习惯是按照内存工作频率来命名，而 DDR 内存则以内存传输速率命名。因此，才有了今天的 PC1600、PC2100、PC2700、PC3200、PC3500 等。

　　PC1600 的实际工作频率是 100 MHz，而等效工作频率是 200 MHz，那么，它的数据传输率就为“数据传输率＝频率*每次传输的数据位数”，也就是 200MHz*64bit=12800Mb/s，再除以 8 就换算为 MB 为单位，就是 1600MB/s，从而命名为 PC1600。

   
                 图17 DDR SDRAM 传输标准

　　3、DDR2 传输标准

　　DDR2 可以看作是 DDR 技术标准的一种升级和扩展。DDR 的核心频率与时钟频率相等，但数据频率为时钟频率的两倍，也就是说，在一个时钟周期内，必须传输两次数据。而 DDR2 采用“4 bit Prefetch(4 位预取)”机制，核心频率仅为时钟频率的一半，时钟频率再为数据频率的一半。这样，即使核心频率还在 200MHz，DDR2 内存的数据频率也能达到 800MHz，也就是所谓的 DDR2 800。

　　目前，已有的标准 DDR2 内存分为 DDR2 400 和 DDR2 533，今后还会有 DDR2 667 和 DDR2 800，其核心频率分别为 100MHz、133MHz、166MHz 和 200MHz，其总线频率(时钟频率)分别为 200MHz、266MHz、333MHz 和 400MHz，等效的数据传输频率分别为 400MHz、533MHz、667MHz 和 800MHz，其对应的内存传输带宽分别为 3.2GB/sec、4.3GB/sec、5.3GB/sec 和 6.4GB/sec，按照其内存传输带宽分别标注为 PC2 3200、PC2 4300、PC2 5300 和 PC2 6400。

   
                                  图18

　　4、RDRAM 传输标准

　　1) PC600

　　RDRAM 仍旧采用习惯的内存频率来命名。PC600 的工作频率为 300 MHz，而其也是时钟上升期和下降期都传输数据，因此其等效频率为 600 MHz，所以命名为 PC600。

　　2) PC800

　　PC800 的工作频率为 400 MHz，而其也是时钟上升期和下降期都传输数据，因此其等效频率为 800 MHz，所以命名为 PC800。

　　3) PC1066

　　PC1066 的工作频率为 533 MHz，而其也是时钟上升期和下降期都传输数据，因此其等效频率为 1066 MHz，所以命名为 PC1066。
    
                    图15 TinyBGA 封装内存

　　采用 TinyBGA 封装技术的内存产品，在相同容量情况下，体积只有 TSOP 封装的 1/3。TSOP 封装内存的引脚是由芯片四周引出的，而 TinyBGA 则是由芯片中心方向引出。这种方式，有效地缩短了信号的传导距离，信号传输线的长度，仅是传统的 TSOP 技术的 1/4。因此，信号的衰减也随之减少。这样，不仅大幅提升了芯片的抗干扰、抗噪性能，而且提高了电性能。采用 TinyBGA 封装芯片，可抗高达 300MHz 的外频，而采用传统 TSOP 封装技术，最高只可抗 150MHz 的外频。

　　TinyBGA 封装的内存，其厚度也更薄（封装高度小于 0.8mm），从金属基板到散热体的有效散热路径，仅有 0.36mm。因此，TinyBGA 内存拥有更高的热传导效率，非常适用于长时间运行的系统，稳定性极佳。

　　4) CSP 封装

　　CSP（Chip Scale Package），是芯片级封装的意思。CSP 封装是最新一代的内存芯片封装技术，其技术性能又有了新的提升。CSP 封装可以让芯片面积与封装面积之比超过 1:1.14，已经相当接近 1:1 的理想情况，绝对尺寸也仅有 32 平方毫米，约为普通的 BGA 的 1/3，仅仅相当于 TSOP 内存芯片面积的 1/6。与 BGA 封装相比，同等空间下 CSP 封装，可以将存储容量提高三倍。