中财网信用卡16万欠款办房贷:内存条都有什么类型?各有什么利弊?_卫士你好的口袋_
来源：百度文库 编辑：中财网 时间：2024/04/28 20:25:46
内存条都有什么类型?各有什么利弊?
按内存条的接口形式，常见内存条有两种：单列直插内存条（ SIMM ），和双列直插内存条（ DIMM ）。 SIMM 内存条分为 30 线， 72 线两种。 DIMM 内存条与 SIMM 内存条相比引脚增加到 168 线。 DIMM 可单条使用，不同容量可混合使用， SIMM 必须成对使用。
按内存的工作方式，内存又有 FPA EDO DRAM 和 SDRAM （同步动态 RAM ）等形式。
FPA （ FAST PAGE MODE ） RAM 快速页面模式随机存取存储器：这是较早的电脑系统普通使用的内存，它每个三个时钟脉冲周期传送一次数据。
EDO （ EXTENDED DATA OUT ） RAM 扩展数据输出随机存取存储器： EDO 内存取消了主板与内存两个存储周期之间的时间间隔，他每个两个时钟脉冲周期输出一次数据，大大地缩短了存取时间，是存储速度提高 30% 。 EDO 一般是 72 脚， EDO 内存已经被 SDRAM 所取代。
S （ SYSNECRONOUS ） DRAM 同步动态随机存取存储器： SDRAM 为 168 脚，这是目前 PENTIUM 及以上机型使用的内存。 SDRAM 将 CPU 与 RAM 通过一个相同的时钟锁在一起，使 CPU 和 RAM 能够共享一个时钟周期，以相同的速度同步工作，每一个时钟脉冲的上升沿便开始传递数据，速度比 EDO 内存提高 50% 。
DDR （ DOUBLE DATA RAGE ） RAM ： SDRAM 的更新换代产品，他允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿传输数据，这样不需要提高时钟的频率就能加倍提高 SDRAM 的速度。
RDRAM （ RAMBUS DRAM ） 存储器总线式动态随机存取存储器； RDRAM 是 RAMBUS 公司开发的具有系统带宽，芯片到芯片接口设计的新型 DRAM ，他能在很高的频率范围内通过一个简单的总线传输数据。他同时使用低电压信号，在高速同步时钟脉冲的两边沿传输数据。 INTEL 将在其 820 芯片组产品中加入对 RDRAM 的支持。 由于这种内存的价格太过昂贵，在 pc 机上已经见不到他的踪影。
DDR2 （ Double Data Rate 2 ） SDRAM 是由 JEDEC （电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代 DDR 内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升 / 下降延同时进行数据传输的基本方式，但 DDR2 内存却拥有两倍于上一代 DDR 内存预读取能力（即： 4bit 数据读预取）。换句话说， DDR2 内存每个时钟能够以 4 倍外部总线的速度读 / 写数据，并且能够以内部控制总线 4 倍的速度运行。 此外，由于 DDR2 标准规定所有 DDR2 内存均采用 FBGA 封装形式，而不同于目前广泛应用的 TSOP/TSOP-II 封装形式， FBGA 封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为 DDR2 内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起 DDR 的发展历程，从第一代应用到个人电脑的 DDR200 经过 DDR266 、 DDR333 到今天的双通道 DDR400 技术，第一代 DDR 的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工作速度；随着 Intel 最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率的 DDR2 内存将是大势所趋。
按内存条的接口形式，常见内存条有两种：单列直插内存条（ SIMM ），和双列直插内存条（ DIMM ）。 SIMM 内存条分为 30 线， 72 线两种。 DIMM 内存条与 SIMM 内存条相比引脚增加到 168 线。 DIMM 可单条使用，不同容量可混合使用， SIMM 必须成对使用。
按内存的工作方式，内存又有 FPA EDO DRAM 和 SDRAM （同步动态 RAM ）等形式。
FPA （ FAST PAGE MODE ） RAM 快速页面模式随机存取存储器：这是较早的电脑系统普通使用的内存，它每个三个时钟脉冲周期传送一次数据。
EDO （ EXTENDED DATA OUT ） RAM 扩展数据输出随机存取存储器： EDO 内存取消了主板与内存两个存储周期之间的时间间隔，他每个两个时钟脉冲周期输出一次数据，大大地缩短了存取时间，是存储速度提高 30% 。 EDO 一般是 72 脚， EDO 内存已经被 SDRAM 所取代。
S （ SYSNECRONOUS ） DRAM 同步动态随机存取存储器： SDRAM 为 168 脚，这是目前 PENTIUM 及以上机型使用的内存。 SDRAM 将 CPU 与 RAM 通过一个相同的时钟锁在一起，使 CPU 和 RAM 能够共享一个时钟周期，以相同的速度同步工作，每一个时钟脉冲的上升沿便开始传递数据，速度比 EDO 内存提高 50% 。
DDR （ DOUBLE DATA RAGE ） RAM ： SDRAM 的更新换代产品，他允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿传输数据，这样不需要提高时钟的频率就能加倍提高 SDRAM 的速度。
RDRAM （ RAMBUS DRAM ） 存储器总线式动态随机存取存储器； RDRAM 是 RAMBUS 公司开发的具有系统带宽，芯片到芯片接口设计的新型 DRAM ，他能在很高的频率范围内通过一个简单的总线传输数据。他同时使用低电压信号，在高速同步时钟脉冲的两边沿传输数据。 INTEL 将在其 820 芯片组产品中加入对 RDRAM 的支持。 由于这种内存的价格太过昂贵，在 pc 机上已经见不到他的踪影。
DDR2 （ Double Data Rate 2 ） SDRAM 是由 JEDEC （电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代 DDR 内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升 / 下降延同时进行数据传输的基本方式，但 DDR2 内存却拥有两倍于上一代 DDR 内存预读取能力（即： 4bit 数据读预取）。换句话说， DDR2 内存每个时钟能够以 4 倍外部总线的速度读 / 写数据，并且能够以内部控制总线 4 倍的速度运行。 此外，由于 DDR2 标准规定所有 DDR2 内存均采用 FBGA 封装形式，而不同于目前广泛应用的 TSOP/TSOP-II 封装形式， FBGA 封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为 DDR2 内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起 DDR 的发展历程，从第一代应用到个人电脑的 DDR200 经过 DDR266 、 DDR333 到今天的双通道 DDR400 技术，第一代 DDR 的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工作速度；随着 Intel 最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率的 DDR2 内存将是大势所趋。