Beauty incommon:为什么这个电路会烧MOS管?

来源：百度文库编辑：中财网时间：2024/04/29 03:47:29

如楼上所言，是Q41没有饱和所致。
楼主电路中，首先MCU IO的高电平输出能力要足够才能驱动LED，这要求必须是强上拉型IO，否则要加缓冲驱动，最好采用负逻辑设计。R41要根据驱动电压来正确选择，LED的工作电流可取1－5mA。另外，D41多余、R42多余，R43的阻值可以大幅增加，MOS管是电压驱动型器件，不要无谓的增加不必要的功耗。
Q41的正常功耗：Q41电流的平方乘以其饱和导通内阻。  此电路是一个非常经典的小电流MOS管驱动电路，但LZ将之移到大电流应用上，水土不服，出了点小问题。

1. 烧MOS管不是由于Q41没有饱和所致，而是由于驱动电流不足，驱动大功率MOS管时（由于其栅极电容的存在），无法快速对其栅极电容充电，引起栅极电压上升缓慢，切换功耗大大增大，引起烧MOS管。

2. D41不能省，一般MOS管的栅极极限电压为15-16V, 此稳压管起保护MOS管作用，防止过高电压（本电路去掉R42时可高达+30V !）对MOS管的栅极冲击引起击穿损坏。

3. R42不能省，起到限制光耦最大输出电流，及对IN4744A的限流作用。由于光耦的最大输出电流一般较小，过份减小R42加大光耦输出电流，易引起光耦加速老化及损坏，因此，比较好的方法是在光耦输出端用NPN三极管加一级射极跟随器, 放大输出驱动电流。
另外，可在R45上并联一只几十至百皮皮法的小电容，起加速MOS管的饱和。

4. R43不能大幅增加，一般加大到10K为上限，其原因在于，当MOS管关断时，储存一定驱动电压的栅极电容通过R43放电，最终将MOS管关断，如R43太大，MOS管关断时间增加，关断速度减慢，引起关断时的切换功耗大大增大，引起烧MOS管。当然，最好的方法是在栅极加负压，加速MOS管关断，但这样成本会高些。  光耦输出级改接NPN/PNP三极管构成的推挽驱动电路，可以达到更高的开启/关断速度。不存在烧，击穿的可能性最大。
130W的漏极功耗，50A的漏极电流，只要工作正常情况下发热温度不高，对于以上的电路那肯定就是耐压不够（60V的耐压），采取的措施可以在负载两端加上快速泄放二极管，在靠近开关管上的两端并上吸收小瓷片电容。图中负载标示不明确，且与后面的表述不一致。
如果是12V/8W，管子工作在线性区域，需要大功率散热。
如果是12V/3A，其冷态启动电流会大大大于3A，启动时如果驱动不足将超出SOA区域。
R42，R43比例分配不当，D41应当只起一个保护作用，如果工作时D41导通，有可能使MOSFET驱动不足，建议适当降低R43的值。
最好不要用817来驱动MOSFET，要用也需要使用TLP250之类的MOS驱动芯片，否则工作在放大区就杯具了
jazzyfox 发表于 2010-9-3 20:27
同意jazzyfox观点，算一下，如果MCU引脚输出5V，1K电阻限流，817线性光耦，不考虑压降最多5mA,按电流传输比50%算，驱动电路只能得到2.5mA电流，栅极电压4.7*2.5=11.75V
实际上发光管压降1.2V左右，MCU输出达不到5V(就算是推挽输出)，电流传输比每个光耦不一样，估计有部分使栅极电压不够高，使场管进入放大区而损坏，建议换光耦为开关型，换MOS管为低Vgs导通型，把两个4.7K换成10K
4# 123jj
那要是大电流MOS管应该怎么设计呢？是由于MOS管的选型使得烧吗？
lp1468 发表于 2010-9-8 23:08
现在驱动MOS管的频率都做的比较高，对驱动源瞬间响应速度及驱动功率要求较高，一般都用IR系列专用MOS管驱动器，要简化成本，起码也要用推挽管驱动。  IO口为什么不用低电平灌电流驱动呢？   不存在烧，击穿的可能性最大。
130W的漏极功耗，50A的漏极电流，只要工作正常情况下发热温度不高，对于以上的电路那肯定就是耐压不够（60V的耐压），采取的措施可以在负载两端加上快速泄放二极管，在靠近开关管上的两端并上吸收小瓷片电容。不存在烧，击穿的可能性最大。
130W的漏极功耗，50A的漏极电流，只要工作正常情况下发热温度不高，对于以上的电路那肯定就是耐压不够（60V的耐压），采取的措施可以在负载两端加上快速泄放二极管，在靠近开关管上的两端并上吸收小瓷片电容。不存在烧，击穿的可能性最大。
130W的漏极功耗，50A的漏极电流，只要工作正常情况下发热温度不高，对于以上的电路那肯定就是耐压不够（60V的耐压），采取的措施可以在负载两端加上快速泄放二极管，在靠近开关管上的两端并上吸收小瓷片电容。不存在烧，击穿的可能性最大。
130W的漏极功耗，50A的漏极电流，只要工作正常情况下发热温度不高，对于以上的电路那肯定就是耐压不够（60V的耐压），采取的措施可以在负载两端加上快速泄放二极管，在靠近开关管上的两端并上吸收小瓷片电容。不存在烧，击穿的可能性最大。
130W的漏极功耗，50A的漏极电流，只要工作正常情况下发热温度不高，对于以上的电路那肯定就是耐压不够（60V的耐压），采取的措施可以在负载两端加上快速泄放二极管，在靠近开关管上的两端并上吸收小瓷片电容。

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