福彩计划独胆三天必下:TVS主要技术参数

1、最小击穿电压V_BR和击穿电流I_R

V_BR：Reverse Break Down Voltage，反向击穿电压

I_R：Reverse Current，击穿电流（有的datasheet上称为I_T）

V_BR是TVS最小的击穿电压，在25℃时，低于这个电压TVS是不会产生雪崩的。当TVS流过规定的1mA电流( I_R )时，加于TVS两极的电压为其最小击穿电压V_BR 。按TVS的V_BR与标准值的离散程度，可把V_BR分为5％和10％两种。对于5％的V_BR来说，V_RWM =0.85V_BR；对于10％的V_BR来说，V _RWM =0.81V_BR。

为了满足IEC61000-4-2国际标准（对应国标GB/T 17626.2-2006），TVS二极管必须达到可以处理最小8kV(接触)和15kV(空气)的ESD冲击，部份半导体厂商在自己的产品上使用了更高的抗冲击标准。对于某些有特殊要求的可携设备应用，设计者可以依需要挑选元件。

2、最大反向漏电流I_D和额定反向切断电压V_RWM

V_RWM：Reverse Stand-off Voltage，反向切断电压

I_D：Maximum Reverse Leakage Voltage，最大反向漏电流（有的datasheet称为I_R）

I_RM：Reverse Leakage Voltage @V_RWM ，反向漏电流

V_RWM是二极管在正常状态时可承受的电压，此电压应大于或等于被保护电路的正常工作电压，否则二极管会不断截止回路电压；但它又需要尽量与被保护回路的正常工作电压接近，这样才不会在TVS工作以前使整个回路面对过压威胁。

当这个额定反向切断电压V_RWM加于TVS的两极间时它处于反向切断状态，流过它的电流（I_RM）应小于或等于其最大反向漏电流I_D。

3、最大钳位电压V_C和最大峰值脉冲电流I_ppm

V_C：Reverse Clamping Voltage，钳位电压

I_ppm：Maximum Peak Impulse Surge Current，最大浪涌电流

当持续时间为20ms的脉冲峰值电流I_ppm流过TVS时，在其两端出现的最大峰值电压为V_C。 V_C，I_ppm反映了TVS的突波抑制能力。V_C与V_BR之比称为钳位因子，一般在1.2~1.4之间。 V_C是二极管在截止状态提供的电压，也就是在ESD冲击状态时通过TVS的电压，它不能大于被保护回路的可承受极限电压，否则元件面临被损伤的危险。

4、额定脉冲功率P_PP

P_PP：Peak Pulse Power，脉冲功率

这是基于最大截止电压和此时的峰值脉冲电流。对于手持设备，一般来说500W的TVS就足够了。最大峰值脉冲功耗PM是TVS能承受的最大峰值脉冲功耗值。在特定的最大钳位电压下，功耗PM越大，其突波电流的承受能力越大。在特定的功耗PM下，钳位电压VC越低，其突波电流的承受能力越大。另外，峰值脉冲功耗还与脉冲波形、持续时间和环境温度有关。而且，TVS所能承受的瞬态脉冲是不重覆的，元件规定的脉冲重覆频率(持续时间与间歇时间之比)为0.01％。如果电路内出现重覆性脉冲，应考虑脉冲功率的累积，有可能损坏TVS。

5、电容器量C

电容器量C是由TVS雪崩结截面决定的，是在特定的1MHz频率下测得的。 C的大小与TVS的电流承受能力成正比，C太大将使讯号衰减。因此，C是数据介面电路选用TVS的重要参数。电容器对于数据/讯号频率越高的回路，二极管的电容器对电路的干扰越大，形成噪音或衰减讯号强度，因此需要根据回路的特性来决定所选元件的电容器范围。高频回路一般选择电容器应尽量小(如LCTVS、低电容器TVS，电容器不大于3pF)，而对电容器要求不高的回路电容器选择可高于40pF。

6、钳位时间T_c

T_C是从零到最小击穿电压V_BR的时间。对单极性TVS小于1×10^-12秒；对双极性TVS小于是1×10^-11 秒。

7、温度系数

Temperature Coefficient of V_BR

温度对TVS的特性有一定的影响，如果需要TVS在一个变化的温度工作，必须查阅有关产品资料，考虑温度变化对其特性的影响。

综上所述，TVS选用技巧如下：

（1）确定被保护电路的最大直流或连续工作电压、电路的额定标准电压和“高端”容限。

（2）TVS额定反向关断V_RWM应大于或等于被保护电路的最大工作电压。若选用的V_RWM太低，器件可能进入雪崩或因反向漏电流太大影响电路的正常工作。串行连接分电压，并行连接分电流。

（3）TVS的最大钳位电压V_C应小于被保护电路的损坏电压。

（4）在规定的脉冲持续时间内，TVS的最大峰值脉冲功耗PM必须大于被保护电路内可能出现的峰值脉冲功率。在确定了最大钳位电压后，其峰值脉冲电流应大于瞬态浪涌电流。

（5）对于数据接口电路的保护，还必须注意选取具有合适电容C的TVS器件。

（6）根据用途选用TVS的极性及封装结构。交流电路选用双极性TVS较为合理；多线保护选用TVS阵列更为有利。

（7）温度考虑。瞬态电压抑制器可以在-55℃～+150℃之间工作。如果需要TVS在一个变化的温度工作，由于其反向漏电流I_D是随温度增加而增大；功耗随 TVS结温增加而下降，从+25℃～+175℃，大约线性下降50％，击穿电压V_BR随温度的增加按一定的系数增加。因此，必须查阅有关产品资料，考虑温度变化对其特性的影响